該晶體生長系統作為半導體行業的重要組成部分具有以下特點:
精確性:通過精密儀器制造的驅動單元夠實現可重復的工藝控制并生產出最佳品質的晶體。
堅固性:爐體部件由高質量的不銹鋼制成,其內表面經過高精度拋光,以便達到耐用性和潔凈等級方面的最高要求。
安全性:高度的自動化和額為增設的安全系統可以確保在最先進的生產環境中使用。
定制化:憑借多年的開發經驗、專業知識以及提供多種部件更換和組合方式,PVA晶體生長系統根據不同客戶的特定需求提供最佳解決方案。
支持與服務:您可以通過直接聯系PVA晶體生長系統專家進行“點對點”的溝通,獲得系統的備件服務以及系統的調整和優化服務。
偶然將籽晶意外浸入熔融
錫中,無意間發現了目前微電子領域中最重要的晶體生長工藝,該工藝是實現工業、科學和社會的快速數字化轉型的基礎。柴可拉斯基法(直拉法)以揚·柴可拉斯基的名字來命名,該技術完全為工業化生產而開發,目前用于生產直徑達300毫米、重量為500公斤的硅晶體。為此,當溫度達到大約1410℃時,高純硅作為
半導體材料會在石英坩堝中熔化,并通過控制程序,按照工藝要求將單晶硅錠從熔體中拉出。
現代微電子行業發展迅速,在成本保持不變的前提下,實現更高的集成密度和小到極致的結構體積,這是我們一直以來追求的行業目標。由此產生對生產效率和材料質量方面的更高要求,二者數據的同時提高,必須通過專門調整晶體缺陷的類型和分布來實現。通過對拉晶工藝的精確調整和控制,可以調整缺陷分布,這在單晶爐、控制和反饋控制系統和熔液中的氣體對流、爐室中的氣流狀態以及在后結晶狀態的固液界面的溫度梯度等方面,對系統制造商提出了突破技術極限的挑戰。
PVA TePla擁有獨立自主的技術研發實驗室,通過與研究機構的密切合作,對系統和工藝研發的最新課題進行研究、應用和測試。我們的技術研發實驗室確保每一種新型設備順利通過嚴密的高頻次測試,并制定相關附屬設備高質量檢驗標準。無論是直拉法工藝開發,還是 PVA TePla的其他產品線,始終沿用此研發模式。
直拉法晶體生長系統CGS1218單晶爐
專為符合半導體行業的嚴格要求而設計。該系統采用模塊化設計,且可以配置鋼絲軟軸或硬軸。配合獨特的晶體軸配置能夠達到最高的精度,因此確保了提拉速度的線性可調和可重復性。
CGS1218單晶爐的特點是其擁有一個組合式爐室,并允許在同樣的熱工條件下改變加料量。該系統可裝載 32 – 36英寸熱場,并配有交互式軟件系統控制的單個或雙攝像頭。
產品數據概覽:
最大晶棒直徑: 12- 18英寸
晶棒長度: 最大2,100 毫米
裝料容量 300公斤-450公斤
熱場 32 – 36英寸