等離子體增強化學氣相沉積PECVD
等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是一種在冶金和材料科學領域廣泛應用的技術,它通過利用等離子體的活性來增強化學反應速率,實現高質量薄膜的沉積。這種設備在制備高性能的金屬和非金屬薄膜方面具有重要作用,尤其是在需要精確控制膜厚、成分和結構的應用中。
等離子體增強化學氣相沉積PECVD設備主要由高真空獲得與測量系統、樣品臺、平行板式輝光等離子體電極系統、氣路系統及電氣控制系統等五部分組成。高真空機組采用復合分子泵和機械泵組成,確保了極限真空度達到≤6.7×10^-5Pa,漏率≤10^-7 Pa?L/s,為PECVD過程提供了理想的高真空環境。大面積樣品臺,襯底可加熱,平行板式輝光等離子體電極?400,可在線升降,這些設計使得設備能夠處理各種尺寸和形狀的樣品,適用于多種材料的薄膜沉積。
一、 設備主要功能及組成
1. 設備主要由高真空獲得與測量系統、樣品臺、平行板式輝光等離子體電極系統、氣路系統及電氣控制系統等五部分組成。
2. 高真空機組采用復合分子泵和機械泵組成。
3. 大面積樣品臺,襯底可加熱。
4. 多種工藝氣體可選,氣路系統定制。
5. 可選配膜厚控制儀,進行在線測量和監控。
6. 電氣控制系統具有多種報警功能,能及時提示故障情況,保障設備安全運行。
二、 主要技術參數
1. 真空室尺寸:?450×450(可定制)
2. 極限真空度:≤6.7×10-5Pa
3. 漏率:≤10-7 Pa?L/s
4. 樣品臺:可旋轉、襯底加熱
5. 平行板式輝光等離子體電極:?400,可在線升降
6. 氣路系統:定制(采用高精度MFC質量流量控制器)
7. 可選配工藝系統:手套箱工作站、樣品預處理室、自動樣品庫等
8. 供電電源:380V 50Hz(三相五線制)
9. 進水排管徑:DN25
10. 工作水壓:0.2Mpa