本發明公開了一種快速制備半導體材料三維亞微米級花狀結構氮化鋁的方法,采用商用鋁粉作鋁源、氮化鋁粉作稀釋劑、氯化銨作催化劑,將原料球磨活化后在較低氮氣氣氛下進行燃燒合成,制備出的白色亞微米級花狀結構氮化鋁粉末。本發明首次利用燃燒合成法合成出形貌可控的氮化鋁亞微米花,該方法工藝簡單、重復性好、時間短、成本低、對環境沒有污染。本發明制備的氮化鋁亞微米花狀結構材料在發光二極管,激光器,微/納電子器件等方面具有廣泛有前景。
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