本發明涉及破碎裝置技術領域，尤其涉及一種硅塊破碎裝置及使用方法、硅塊破碎方法及應用方法。
背景技術：
電子級多晶硅是集成電路產業的基礎原材料，一般采用改良西門子法進行生產，在還原爐中利用化學氣相沉積產出多晶硅棒，然后對其進行破碎、篩分及清洗，從而得到尺寸不一的多晶硅塊，以便于下游半導體硅片廠家投爐進行單晶拉制。
傳統的破碎方式一般采用鎢合金錘進行人工破碎，或使用輥式破碎機等進行機械破碎，但是前者為人工操作，容易在操作過程中引入人工污染，后者則會導致硅塊與機械設備過多接觸，硅塊表面受到大量金屬污染；上述兩種情況均會導致硅塊表面污染，從而影響下游單晶產品質量。
技術實現要素：
本發明提供了一種硅塊破碎裝置，可有效解決背景技術中的問題，同時本發明中還請求保護硅塊破碎裝置的使用方法，以及，一種硅塊破碎方法及應用方法，具有同樣的技術效果。
為了達到上述目的，本發明所采用的技術方案是：
一種硅塊破碎裝置，包括：
容器，提供待破碎硅棒的容納空間，且在所述容納空間內執行破碎動作；
兩脈沖電極，在所述容納空間內懸掛設置，且懸掛高度及兩所述脈沖電極在水平面內的位置均可調節；
所述容器內設置有高純水，用于對所述硅棒與外界環境進行隔離，所述脈沖電極在所述高純水內產生脈沖電弧，所述高純水的電阻率為ρ，單位為mω.cm，其中，16mω.cm≤ρ≤20mω.cm。
一種如上所述的硅塊破碎裝置的使用方法，包括以下步驟：
對兩所述脈沖電極與所述硅棒的相對位置進行調節；
確定電源的脈沖電壓及脈沖頻率；
供電執行破碎操作。
進一步地，所述脈沖電極與所述硅棒的相對位置調節的模型如下：
其中，
s為兩所述脈沖電極間的水平間距以mm為單位時的數值；
l為硅棒的長度以mm為單位時的數值，1500≤l≤3000；
a為破碎后的硅塊目標粒徑以mm為單位時，取值范圍的中位數；
x為所述脈沖電極與所述硅棒的垂直距離以mm為單位時的數值；
d為硅棒直徑以mm為單位時的數值。
進一步地，所述脈沖電壓的調節模型如下：
其中，
a為破碎后的硅塊目標粒徑以mm為單位時，取值范圍的中位數；
u為脈沖電壓以kv為單位時的數值。
進一步地，所述脈沖頻率的調節模型如下：
f為脈沖頻率以hz為單位時的數值。
一種硅塊破碎方法，通過兩脈沖電極形成脈沖電弧，所述脈沖電弧進入被高純水浸沒的
聲明：
“硅塊破碎裝置及使用方法、硅塊破碎方法及應用方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：江蘇鑫華半導體材料科技有限公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
