本發明屬于二維材料制備技術領域，具體涉及一種雙層ws2/mos2橫向異質結材料、制備方法及應用。
背景技術：
過渡金屬硫族化合物(tmds)在工業生產、科學研究等方面有著重要作用。mos2和ws2是兩種二維層狀半導體過渡金屬硫化物材料，層與層之間通過范德華力結合在一起，其帶隙可根據層數的減小由間接帶隙轉變為直接帶隙，且具有良好的柔性特點。橫向生長的ws2/mos2異質結與單一的材料相比，在晶體管的光響應特性、開關響應速度以及氣敏特性上都具有顯著提高，因此通過對ws2/mos2橫向異質結的生長進行調控，在以上應用上均具有重大意義。
目前，廣大科研工作者利用水熱法、各種改進cvd法進行ws2/mos2橫向異質結的制備。但這些方法普遍存在制備條件苛刻，制備的異質結薄膜面積??；同時難以對層數進行控制，對其研究主要集中在單層材料上。已有研究證明，與單層tmds異質結薄膜相比，少數層ws2/mos2橫向異質結薄膜材料的態密度更大，在場效應的應用中產生多個導通通道，能夠產生相當大的驅動電流。
為此，發明人經過潛心研究，提出一種制備雙層ws2/mos2橫向異質結材料的方法，獲得了雙層ws2/mos2橫向異質結材料。
技術實現要素：
針對現有技術存在的不足和缺陷，本發明提供了一種雙層ws2/mos2橫向異質結材料、制備方法及應用，解決現有的制備方法所需條件較為苛刻且對ws2/mos2橫向異質結生長層數的難以調控的問題。
為了實現上述目的，本發明采用如下技術方案予以實現：
一種雙層ws2/mos2橫向異質結材料的制備方法，包括：將wo3粉、moo3粉和nacl固體顆?；旌涎心サ玫窖趸锴膀岓w混合物，將氧化物前驅體混合物放置在石英管爐膛內800～810℃的溫度區間，將襯底放置在氧化物前驅體混合物的正上方，襯底的氧化面朝下，將硫粉放置在石英管爐膛內140～160℃的溫度區間，在保護氣氛、壓強為-0.1～-0.05mpa下反應8～10min，在襯底上沉積雙層ws2/mos2橫向異質結材料；
硫粉、wo3粉、moo3粉和nacl的質量比為8000：100：100：1。
優選的，以10～15℃/min的升溫速度升溫至800～810℃。
優選的，所述的保護氣氛為氬氣，氬氣的氣體流速為80～100sccm。
優選的，使用雙氧水與濃硫酸按體積比1：3配置而成的混合液對襯底進行清
聲明：
“雙層WS2/MoS2橫向異質結材料、制備方法及應用與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：西北大學
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2025年07月23日 ~ 26日 
