本發明涉及一種鈦合金材料及其制備方法，尤其涉及一種鈦硅合金及其制備方法，屬于冶金技術領域。
背景技術：
我國的鈦資源非常豐富，蘊藏量居世界前列。鈦白粉生產已有相當規模，但鈦硅材料制備研究的比較少，鈦硅合金的研究具有較大的實際意義。
高熔點的金屬間化合物，具有低的密度、良好的抗氧化性，因而受到廣泛的重視。TiSi2是一種重要的硅化物，具有較好的高溫穩定性、較高的高溫強度和良好的抗氧化能力，有希望成為1200℃以上使用的結構材料。由于其電阻和熱阻均較低，TiSi2也有希望應用于電氣連接和擴散阻擋層，目前已被作為歐姆接觸和金屬互聯材料廣泛用于超大規模集成電路制造技術中；另外TiSi2薄膜在高溫下對壓力很敏感，有望成為高溫時的壓力感應器材料。Ti5Si3具有六方D88型晶體結構，具有高溫強度大，抗高溫氧化性能好等優點。TiSi具有低電阻率、較高的熱穩定性以及化學穩定性等諸多優異的性能。
傳統的鈦硅合金的制備是采用純金屬鈦和硅為原料制備的，由于金屬鈦制備成本高，工藝流程長，導致制備的鈦硅合金成本較高。
秦超等.SPS原位反應制備TiSi2基復合材料的微觀結構和性能研究[J].無機材料學報，2008.3，23(2)，209-212，公開了以工業用硅粉、碳粉和碳化鈦為原料，利用放電等離子燒結技術原位反應制備了TiSi2/SiC兩相復合材料。陳貴清等.弱放熱反應TiSi2燃燒合成的研究[J].粉末冶金技術，1998，16(4)：249-253，用自蔓延高溫燃燒法合成了TiSi2單相化合物，其合成過程需要氬氣保護。張炳.FFC法制備鈦硅合金的研究[D].東北：東北大學,2008.公開了采用FFC法直接用TiO2和SiO2為原料熔鹽電解直接制備鈦硅合金：實驗過程主要包括陰極制備和電解兩個部分。陰極制備流程包括如下步驟：均勻混合TiO2、SiO2粉末；添加1％(質量比)的聚乙烯醇作為粘結劑；20MPa壓力下壓成形；1200℃下燒結4h；燒結后的片體和鉬絲、鎳硅絲組裝成復合陰極。適宜的電解條件為：以燒結的TiO2-SiO2片體為陰極,石墨坩堝為陽極,電解溫度900℃、電解電壓3.0V。其原料的處理較繁瑣。目前還沒有見到電硅熱還原鈦白粉一步合成制備鈦硅合金的報道。
《GB/T 3620.1-2007鈦及鈦合金牌號和化學成分》公開了現有鈦合金的種類及各鈦合金中的化學成分，其硅含量較
聲明：
“鈦硅合金材料及其制備方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：攀枝花學院
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2025年08月07日 ~ 09日 
