本發明提供了一種光刻工藝的對準方法及其適用的光罩。在本發明提供的光刻工藝的對準方法中,通過在晶圓的刻蝕工藝中的當前光罩的切割道版圖上形成至少一獨立于其已存在的第一對準標記的第二對準標記,然后,光刻機臺在對光罩和晶圓進行套刻精度測量時,利用不受輔助圖形干擾的第二對準標記為對準標記,從而可以避免現有技術中利用附近形成有輔助圖形的第一對準標記作為對準標記,而導致的在晶圓的后續多次刻蝕工藝中,由于晶圓上形成的第一對準標記的圖形不清楚,造成的對準量測程序對準失效、對準測量程序人工檢測工作量大以及刻蝕工藝的工作效率低的問題。
聲明:
“光刻工藝的對準方法及其適用的光罩” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)