本發明公開了一種光刻機對準性能的檢測方法,包括提供待曝光晶圓;制作掩膜板,其具有長方形和迭對標記圖案;通過光刻,將掩膜板的長方形及迭對標記圖案轉移到晶圓上;通過平移非完整曝光單元曝光布局的方法,測量完整曝光單元和非完整曝光單元之間迭對標記的中心偏移量,確定光刻機對非完整曝光單元對準補償能力的失效邊界,以此邊界為基準,建立最敏感的檢測曝光布局,從而建立更為全面和靈敏的光刻機對準性能的檢測方法。
聲明:
“光刻機對準性能的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)