本發明公開了一種功率MOS失效位置的判定方法,包含:步驟1,去除樣品芯片表面鈍化層,暴露出金屬;步驟2,采用亮點定位工具定位出亮點;步驟3,采用激光成像技術,記錄下亮點及其周圍的晶粒的形貌;步驟4,在亮點附近做出標記位置;步驟5,在聚焦離子束機臺下找到標記位置,并找到亮點對應的晶粒交界,進行切片分析,從而找到失效位置。
聲明:
“功率MOS失效位置的判定方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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