本申請涉及一種半導體模塊焊層壽命失效的測試方法,包括:根據待測半導體模塊的規格確定參考溫度數據;所述參考溫度數據是同規格的半導體模塊所對應的溫度標定數據;獲取待測半導體模塊的初始溫度數據;所述初始溫度數據是待測半導體模塊在全新狀態下進行溫度測試的數據;對待測半導體模塊進行溫度測試,獲取當前溫度數據;根據初始溫度數據、當前溫度數據和參考溫度數據,判斷待測半導體模塊的焊層壽命是否失效。本申請的測試方法在完整功率模塊上進行,不需要將待測半導體模塊從功率模塊中拆下,省時省力;也不會發生由于拆解及安裝導致的模塊及其它部件損壞;本方案不需要熱阻、超聲波掃描等相關設備投入,降低測試成本。
聲明:
“半導體模塊焊層壽命失效的測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)