本發明涉及半導體缺陷分析技術領域,尤其涉及一種柵氧化層缺陷原貌的失效分析方法,首先在一個預設電壓的條件下篩選出具有柵氧化層缺陷的待測半導體結構,然后對該具有柵氧化層缺陷的待測半導體結構進行操作,先研磨掉金屬互連層,然后用掃描電鏡電壓對比方法確定柵氧化層缺陷位置,再依次去除互連線、介電層和柵極,并在剩下的柵氧化層上沉積一層與柵氧化層透射電鏡襯度對比度較大的襯度對比層,在有問題的柵極區域進行透射電鏡樣品制備,最后通過透射電鏡來進行分析。通過該方法可以清晰的觀察柵氧化層缺陷原貌,為查找柵氧化層制程工藝缺陷提供有力的依據和方向。
聲明:
“柵氧化層缺陷原貌的失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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