基于熱成像技術的半導體雪崩耐量失效分析的測試方法及裝置,本發明主要包括在搭建的測試系統中,開啟待測功率器件和功率開關管,電感開始續流,當電感中的電流達到雪崩電流峰值Iav后,關斷待測功率器件和功率開關管,電感放電,待測功率器件發生雪崩,在待測功率器件被擊穿前開啟短路功率器件,待測功率器件被短路并停止雪崩,電感能量通過短路功率器件泄放,此后,重復本操作,使待測器件持續發生雪崩,通過對器件雪崩時間的限制,使得器件在在不損壞的情況下多次進行雪崩過程,在此過程中我們可以通過熱成像技術觀測器件雪崩過程中發熱點位置的變化情況。
聲明:
“基于熱成像技術的半導體雪崩失效分析測試方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)