本發明公開了一種高效調控CVD單晶金剛石局部區域位錯密度的方法。本方法采用等離子體刻蝕、表面形貌檢測以及正交偏光成像等復合技術,能夠快速、無損判斷金剛石襯底中的高位錯密度區域。通過飛秒激光等高能粒子束,對金剛石襯底中高位錯密度區域進行靈活、高效的圖形化加工。結合在圖形化區域中掩膜材料的選取與鋪設,此方法能夠阻斷加工圖案底部區域位錯向CVD金剛石生長層的延伸,調控圖案側面區域位錯線的延伸方向,釋放圖形化區域生長過程中的應力,從而能夠有效降低CVD金剛石生長層中局部區域的位錯密度和殘余應力,實現對生長層中缺陷和結晶質量的針對性調控,提高CVD金剛石生長的均勻性和晶體質量。
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