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            > SiC MOSFET模塊內部多芯片溫度分布均勻性的無損測試方法

            SiC MOSFET模塊內部多芯片溫度分布均勻性的無損測試方法

            1192   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-19 08:58:00
            本發明公開了一種SiCMOSFET模塊內部多芯片溫度分布均勻性的無損測試方法,在SiCMOSFET模塊柵極施加一個高柵壓,工作在盲區之上,分別施加小電流和長脈寬大電流,獲得小電流的溫度敏感參數和大電流含有自升溫的溫度敏感參數;通過反向逆推大電流含有自升溫的溫度敏感參數,獲得未產生自升溫的校溫曲線,結合小電流的校溫曲線,建立校溫曲線庫;基于校溫曲線庫,在小電流和長脈寬大電流下,測試升溫后模塊的兩個溫度值,計算二者溫度結果的差值;根據溫度差值的大小與參考溫度差值作比較,即可在不破壞模塊封裝的情況下判斷模塊內部的溫度分布情況。本發明避免了在實際工況下,模塊內部多芯片溫度分布不均勻、溫度差異大,導致個別芯片可靠性明顯降低的問題。
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