本發明公開一種GaNHEMT器件的高頻無損逐周期電流檢測電路,涉及氮化鎵基第三代寬禁帶半導體領域,包括GaN HEMT器件器件電路、電流源電路、動態導通電阻提取電路和運放差分電路,可通過探測器件漏極電壓推算得到,通過器件漏源極的高頻電流,省去了電流探測器,避免了電流探測器帶來的損耗,減小了電路環路面積。該方法還能有效地將GaN HEMT器件的自熱效應及其獨有的俘獲效應解嵌,從而獲得高精度的電流探測結果,能夠廣泛地運用于高頻功率電子線路中。
聲明:
“GaNHEMT器件的高頻無損逐周期電流檢測電路” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)