本發明屬于半導體材料和納米技術領域,具體涉及一種氧化鎵異質結結構及其生長方法,特別是涉及一種β-Ga2O3和k-Ga2O3形成的具有偽四次對稱的納米尺度氧化鎵異質結結構的方法和專用裝置。該氧化鎵異質結包括β-Ga2O3納米線狀主干和其表面上的k-Ga2O3納米柱,其中β-Ga2O3納米線長度為5~100μm長,直徑在50~1000nm;k-Ga2O3納米柱尺寸在50~200nm,在β-Ga2O3納米線表面呈現偽四次對稱分布。本發明所采用的方法是在化學氣相沉積過程中,精確控制沉積區域溫度和氨氣流量,通過自發形成的一種k-Ga2O3/β-Ga2O3異質結結構,所得的k-Ga2O3是氧化鎵體系中的一種新的晶型結構,具有正交對稱性。所制的k-Ga2O3/β-Ga2O3異質結結構在紫外光區具有非常強的陰極射線熒光性能,并且具有分立的發光特性,適合用作紫外光電探測器和光解水制氫。
聲明:
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