本發明涉及一種新型稀土Ln-Sialon單晶體及其制備方法,屬于單晶材料和發光材料技術領域。本發明以鑭系稀土元素的單質Ln、化合物Ln2O3、LnN和LnX3(其中X選自F、Cl、Br和I,Ln為選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu),Si、Si3N4和SiO2,以及Al、AlN和Al2O3等為原料,也可以選擇添加過渡金屬(Fe/Co/Ni/Cu/Ag/Au)及含過渡金屬的化合物為催化劑,在非氧化性氣氛、氣氛壓力1Pa~50MPa、溫度1400℃~2500℃、反應時間0.1小時~100小時的條件下,制備得到Ln-Sialon單晶體,其化學式為LnSi6-zAl1+zOzN10-z。所述Ln、LnX3、Ln2O3和LnN占總配料的質量比為0.1%~99%,Si、Si3N4和SiO2占總配料的質量比為0.1%~99%,Al、AlN和Al2O3占總配料的質量比為0.1%~99%。制備的Ln-Sialon單晶具有優良的力學性能和熒光性能,可用于白光LED、探測器陣列、光學組件和微電機系統(MEMS)等。
聲明:
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