本發明屬于電壓工程技術領域,尤其涉及一種多原子分子電子碰撞電離截面的計算方法。本發明提供了一種多原子分子電子碰撞電離截面的計算方法,包括以下步驟:步驟1:選擇CF3CN分子作為測試分子,計算其電子碰撞電離截面,篩選出分子結構計算方法;步驟2:在量子化學軟件中搭建C4F7N分子模型;步驟3:優化分子結構;步驟4:計算分子軌道參數;步驟5:確定參與碰撞過程的分子軌道數量;步驟6:基于修正后的BEB公式計算分子的總電子碰撞電離截面。本發明解決了現有技術中計算出的電子碰撞電離截面往往大于實驗值的技術問題。
聲明:
“多原子分子電子碰撞電離截面的計算方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)