本發明公開了一種垂直結構LED的襯底剝離方法,該垂直結構LED包括依次層疊的高摻硅層、LED芯片層和硅襯底層,該方法包括以下步驟:1)首次超聲清洗;2)研磨:使用金剛石磨盤對硅襯底層進行研磨,設置減薄量為硅襯底層總厚度的20?90%;3)再次超聲清洗;4)刻蝕:使用感應耦合等離子體對殘余硅襯底層進行刻蝕,刻蝕腔壓力為10?3?10?5Pa,刻蝕氣體為SF6。本方法采用物理研磨與化學刻蝕相結合的方式,以去除垂直結構LED的硅襯底,而對LED芯片層或高摻硅層幾乎沒有影響,可提高LED器件性能,可廣泛應用于LED、LD、光電探測器、太陽能電池等領域。
聲明:
“垂直結構LED的襯底剝離方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)