本發明公開了多芯片組件同質鍵合系統質量一致性改進方法,該方法在原有工藝的厚膜電阻修調并測試完畢后,增加金厚膜鍵合區表面局部化學機械拋光工藝,具體是:選擇貴金屬拋光液,通過局部拋光機對每個鍵合區進行拋光,使其表面平整度≤0.1μm;然后用機械掩模方法,在高真空濺射臺或蒸發臺中,在鍵合區表面形成一層鋁薄膜、或鎳-鉻-鋁或鉻-銅-鋁復合薄膜;最后,按常規混合集成電路集成工藝,將半導體芯片和片式元器件集成在成膜基片上,半導體芯片的鍵合采用硅-鋁絲鍵合,管腳與基片之間采用金絲鍵合,實現質量一致性好、可靠性高的金-金、鋁-鋁同質鍵合。此類器件應用領域廣泛,特別適用于大功率、高可靠、宇航級等領域。
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