本發明公開一種差分結構生化傳感器芯片,第一延長柵和第二延長柵具有兩種敏感性質的聚吡咯層,第一延長柵、準參比電極及第二延長柵分別與各壓焊塊相連。本發明公開的方法用電化學法聚合得到第一延長柵上生長PH敏感的第一聚吡咯層、第二延長柵上生長PH鈍化的第二聚吡咯層;準參比電極的第三鋁層由標準CMOS工藝在加工芯片時沉積,第三鉑層采用磁控濺射法沉積生長在第三鋁層上。采用多晶硅柵標準工藝流片實現差分結構離子敏場效應晶體管芯片。在后續工藝中制備PH敏感層與PH鈍化層的方法,解決目前因采用不同材料作為PH敏感層與PH鈍化層而引起差分測量誤差的問題,獲得較好的差分效果和良好的穩定性,并能適應較寬的環境變量范圍。
聲明:
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