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            新型PECVD的鍍膜工藝

            844   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-19 08:28:36
            本發明涉及晶體硅表面鍍膜領域,具體是一種新型PECVD的鍍膜工藝,工藝步驟為:進爐升溫穩定溫度;氨氣吹掃;抽真空檢漏;預沉積;通化學反應氣體開射頻電離;抽真空;充氣;退火;出爐。采用本發明的鍍膜工藝鍍膜的硅片制備的電池片因為修復了硅片表面的轟擊損傷,降低了硅片表面的懸掛鍵數量,減少了復合中心,降低了電子的復合速率,增加了用于輸出電流的電子空穴對,提高了電池片的短路電流,提高了電池片的效率,極大地增加了在本行業的競爭力。
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            “新型PECVD的鍍膜工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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