本發明公開一種超高頻晶片的拋光方法,該方法主要包括以下步驟:(1)頻率測定;(2)全數分類;(3)LOT構成;(4)中性洗滌劑與超聲波洗凈;(5)超純水超聲波洗凈;(6)干燥;(7)硫酸洗凈;(8)硫酸洗凈后純水洗凈;(9)第一次化學拋光;(10)第二次化學拋光;(11)送至下一流程。本發明使用化學拋光可以降低晶片破損率,提高晶片的加工頻率,同時減少了機器的維護,有效地提高了拋光效率。
聲明:
“超高頻晶片的拋光方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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