本發明一種零偏壓工作石墨烯光電器件及其制備方法,包括以下步驟:(1)利用化學氣相沉積法生長制備石墨烯薄膜;(2)轉移所述石墨烯薄膜至預先制備的氧化襯底表面;(3)在所述石墨烯薄膜表面圖案化形成石墨烯條帶結構;(4)在所述石墨烯薄膜表面的兩端沉積金屬形成兩個金屬電極;(5)在所述石墨烯薄膜經圖案化的表面進行量子點圖案化。通過此制備方法得到的一種能在沒有外接偏壓下工作的石墨烯光電器件,有效避免石墨烯光電器件在偏壓下工作時會產生極大的暗電流,影響器件的壽命和測量精度的問題,通過將量子點精確的覆蓋在我們想要的區域,工藝流程簡單,與半導體微納技術緊密結合,具有很強的實用性。
聲明:
“零偏壓工作石墨烯光電器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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