本發明涉及光電材料領域,尤其涉及一種α?MnSe納米片及其制備方法與用途。所述α?MnSe納米片的制備方法包括:以Se和錳源為原料,經化學氣相沉積法制得;所述錳源為MnO2或MnCl2。本發明通過選擇特定的原料,通過化學氣相沉積法(CVD),在云母基底上制備得到α?MnSe納米片;該α?MnSe納米片是一種反鐵磁的寬帶隙半導體。本發明提供的制備方法對α?MnSe納米片的尺寸和厚度的可控性好,且工藝簡單、合成速度快,制備得到的α?MnSe納米片結晶質量高,穩定性好。本發明對二維磁性研究提供了很好的材料選擇;將本發明制得的α?MnSe納米片應用于光電探測器件中,具有非常優異的光探測性能。
聲明:
“α-MnSe納米片及其制備方法與用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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