本發明提供了一種Ga2O3薄膜的制備方法,包括以下步驟:以有機鎵化合物作為鎵源,以高純氧氣作為氧源,利用金屬有機化學氣相沉積法在襯底表面進行沉積,降溫后得到Ga2O3薄膜;在Ga2O3薄膜生長的過程中間歇補充有機鎂化合物。本申請還提供了上述制備方法所制備的Ga2O3薄膜,Ga2O3薄膜中摻雜微量鎂。本申請通過對制備Ga2O3薄膜中有機鎂化合物的通入時機和通入時間的控制,實現了微量鎂摻雜的Ga2O3薄膜的制備,其為實現高性能日盲紫外光探測器提供了便捷有效的手段。
聲明:
“Ga2O3薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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