本發明涉及探測器級的超高純鍺單晶制備工藝以及該工藝的專用設備。該工藝包括多晶錠及拉晶設備的清洗以及單晶爐拉制單晶兩個部分;該工藝的專用設備單晶爐包括固定裝置、加熱裝置、冷卻裝置、通氣裝置以及拉晶裝置。本發明反應物及反應設備均經過嚴格的物理及化學清洗,清洗液純度高,且反應過程始終在超凈工作臺內進行,對反應物、反應環境純度要求高,為制出高純度的產品提供了先決條件;反應設備清潔度更高,爐體、坩堝及內部零件都用高純石英件替代現用的石墨材料,且采用高頻感應加熱方式,避免用電阻石墨直接進行加熱產生的雜質污染,降低了拉制產品過程中混雜雜質的可能性,保障了產品的純度。
聲明:
“超高純鍺單晶制備工藝及專用設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)