本發明公開了一種用于在制造半導體器件中處理晶圓的方法和系統,其中,化學反應需要設置化學品和晶圓加熱。將晶圓放置在晶圓加熱器之上,從而使第二表面面對晶圓加熱器,并且從第二表面加熱晶圓?;瘜W層形成在相對的第一表面上。設置晶圓加熱器的尺寸并且將晶圓加熱器配置為能夠加熱整個第二表面,并且如果需要,晶圓加熱器適合于產生局部不同的溫度分布。在加熱期間,可以監測晶圓上的實際溫度分布且將實際溫度分布傳輸至計算系統,計算系統可以產生目標溫度分布并且根據目標溫度分布控制晶圓加熱器以調整晶圓上的局部溫度。用于加熱化學品的輔助加熱器可以用于更精細地控制晶圓溫度。
聲明:
“可精細控制溫度的晶圓加熱系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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