本申請公開了一種碳化硅晶片的位錯識別方法及碳化硅晶片與應用。該方法包括將待測碳化硅晶片進行拋光處理,得到第一碳化硅晶片,其表面粗糙度Rq≤0.8nm,使用熱堿液腐蝕所述第一碳化硅晶片的表面,得到表面顯現出位錯腐蝕坑的第二碳化硅晶片,對所述第二碳化硅晶片進行光學顯微觀測,識別所述位錯?,F有技術通常在熱堿腐蝕前進行研磨、機械拋光、化學機械拋光等工藝,本申請發現只需使表面粗糙度降低至一定閾值,即可去除光學顯微觀測位錯時存在的水滴狀干擾,不需要將表面粗糙度降得過低,如在機械拋光階段進行工藝優化,可以省去最終化學機械拋光加工工藝。本申請方法具有操作簡便,不需要復雜的試劑、效率高、成本低等優點。
聲明:
“碳化硅晶片的位錯識別方法及碳化硅晶片與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)