本發明公開了一種基于萘酰亞胺與噻吩的n?型有機半導體材料及其制備方法和應用,該n?型有機半導體材料的化學結構式如式Ⅰ所示。本發明利用具有平面剛性萘酰亞胺為強吸電子單元,利用強導電性的噻吩衍生物為給電子單元,構成了有機小分子n?型半導體材料(NDIN?2S),并用核磁、質譜表征了這些聚合物及其中間體的結構,用紫外可見光分光光度計表征了其光物理性質,通過熱重分析了其熱穩定性。結果表明這類材料具有高的電子遷移率,良好的吸光性,優異的熱穩定性,合適的能級,是理想的鈣鈦礦太陽能電池陰極修飾層材料。
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