本發明公開了一種多孔氮化鎵基室溫氣體傳感器的制備方法,該傳感器所用氮化鎵薄膜可通過金屬有機物化學氣相沉積和氫化物氣相外延法生長于藍寶石襯底上,表面經金屬催化化學腐蝕法獲得孔徑可調的納米微孔,隨后經1,2?乙二硫醇(EDT)鈍化處理后,利用物理沉積法在表面負載高分散鉑(Pt)納米顆粒。經該方法處理的材料具有比表面積大、活性中心穩定、傳質通道多,而且成本較低,易于批量制備等優點。該基于以鉑納米粒子修飾的硫化物鈍化多孔GaN材料半導體傳感器,可以在室溫溫區同時檢測H2,H2S和C2H4等多種氣體,H2極限靈敏度可達65%以上??稍谖锫摼W(IoT)生態系統中的物理設備廣泛應用。
聲明:
“多孔氮化鎵基室溫氣體傳感器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)