本發明公開了一種陣列結構硅基點陣的制備方法及其應用,所述制備方法包括:在一硅片表面旋涂光刻膠;采用光刻方法在所述硅片表面形成特定尺寸的點樣區;采用溶液法在含點樣區的所述硅片表面自組裝微納米球;對沉積了微納米球的所述硅片進行刻蝕,使所述點樣區形成微納米結構陣列;去除所述硅片表面的所述光刻膠;且去除所述硅片表面的所述微納米球。本發明陣列結構硅基點陣的制備方法所制得的硅基點陣在質譜檢測、拉曼檢測、生物傳感器或者光電探測器中的應用。本發明的硅基點陣在物理、化學、能源、催化、生命科學及信息等領域具有潛在的應用前景。
聲明:
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