本發明公開了一種石墨烯納米孔洞的制備方法,屬于薄膜材料微納加工領域領域。該方法采用化學氣象沉積法(CVD)在金屬銅薄膜上制備石墨烯,利用石墨烯表面本征的缺陷結構制備石墨烯納米孔洞,其孔徑大小可為幾納米至數百納米。該石墨烯納米孔洞具有精度高、孔洞深度在單原子水平、便于化學修飾、可導電、使用壽命長、成本低廉等諸多優點。本發明將在單分子檢測、電化學操控、生物識別等領域具有較大應用。
聲明:
“石墨烯納米孔洞的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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