本發明提供了一種提高低溫陷阱數量的青色力致發光材料,屬于材料損傷檢測技術領域,其化學通式為Ba(1?X)Si(2?Y)O2N2:Eu2+(X)Ga3+(Y),其中,X的取值范圍為:0.001≤X≤0.25,Y的取值范圍為:0.0001≤Y≤0.1;其陷阱分布范圍為?270℃至400℃。本發明還提供了上述青色力致發光材料的制備方法和應用。本發明的青色力致發光材料存在?270℃至400℃連續分布的陷阱能級,特別是?270℃至?70℃的陷阱能級,使用Eu2+作為光吸收中心,吸收可見光后將能量存儲于電子陷阱中,用于后續的檢測應用,通過引入Ga3+離子替代Si4+,形成電荷不平衡取代,可以增加氧缺陷等,增加?270℃至?70℃的極淺能級數量,提高了低溫下損傷檢測的靈敏度,擴大了應力承受范圍,更有利于低溫下的損傷檢測應用。
聲明:
“提高低溫陷阱數量的青色力致發光材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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