本發明涉及具有良好生物兼容性的硅基半導體的拉曼散射增強基底和制備方法,以及用這種基底進行溶液中羅丹明6G分子和4-氨基硫酚分子的檢測。本發明用化學刻蝕的方法,在單晶硅基片表面刻蝕出垂直定向站立排列的硅納米線陣列;然后除去在刻蝕過程中作為副產物生成在硅納米線陣列頂端的絮狀銀枝杈,并在硅納米線表面修飾上大量的Si-H鍵。所述的硅基半導體的拉曼散射增強基底是由分布在單晶硅基片表面垂直定向站立排列的硅納米線陣列構成,且所述的基底中不含有貴金屬銀;所述的硅納米線表面修飾有Si-H鍵。首次成功地實現了不使用任何貴金屬而僅用半導體硅材料制備出了具有良好生物兼容性的硅基半導體的拉曼散射增強基底。
聲明:
“硅基半導體的拉曼散射增強基底及其制法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)