本發明公開一種基于解析法制備定原子比的摻雜Ge2Sb2Te5相變薄膜的方法,根據摻雜原子比計算得到兩靶的沉積厚度比,進而確定兩靶的濺射功率,制備形如Ax(Ge2Sb2Te5)100?x的薄膜,其中A為摻雜元素,x為待制備摻雜薄膜中摻雜原子的百分比,測試后調整兩靶的濺射功率得到所需摻雜原子比的薄膜;具體制備步驟為:計算兩靶的沉積薄膜厚度比,兩靶對應薄膜的沉積速率,選取襯底和預處理,確定兩靶的濺射功率,濺射鍍膜,檢測薄膜的化學成分與目標薄膜比照,微調濺射功率制備符合摻雜原子比的Ge2Sb2Te5薄膜。采用本發明的高效制備定摻雜原子比的共濺射薄膜的方法,大大縮短了探索鍍膜工藝參數的實驗周期,本發明適用于任意兩種靶材通過共濺射得到摻雜薄膜的制備。
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