本申請公開了一種自PN結半導體納米材料作為紅外光電探測器的應用,其特征在于,所述自PN結半導體納米材料選自具有如式I所示化學式的物質中的任一種;MO·xMQ2O4 式I;其中,所述M選自二價過渡金屬元素中的任一種;所述Q選自VIII族元素中的任一種;所述x表示MQ2O4與MO含量的摩爾比,所述x的取值范圍為1~2.5;所述自PN結半導體納米材料為含有異型異質結的兩相多晶結構。所述自PN結半導體納米材料解決了現有技術中MO禁帶寬度大,光電轉化效率不高且只對紫外光有較強的吸收等問題,具有良好的作為近紅外光電探測器應用前景。
聲明:
“自PN結半導體納米材料作為紅外光電探測器的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)