本實用新型公開一種半導體測試結構,所述半導體測試結構包括位于一具有多個有源區的半導體襯底上的第一測試結構和多個第二測試結構,由于第一測試結構與有源區絕緣隔離,多個第二測試結構分別與有源區電連接;第一測試結構同一層的第一測試結構的第一金屬互連線和第二測試結構的第二金屬互連線交叉排列。應用時,分別向第一測試結構和第二測試結構通電并測試兩者之間的電容,確定半導體器件的金屬互連線之間是否存在電化學腐蝕,并對腐蝕的程度進行評價,以及時發現電化學腐蝕現象,避免電化學腐蝕所帶來的影響,提高了產品的良率。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)