用于內部稀薄氣流模擬驗證及壓力檢測的變結構真空腔室屬于半導體制造設備設計技術領域。包括上蓋、勻氣盤、腔體、可替換內襯、內襯支架、基座、排氣裝置、流場檢測空間以及氣壓檢測引管,所述流場檢測空間為圓柱形,圓柱體的直徑可通過更換所述可替換內襯進行調節,圓柱體的高度可通過基座的升降進行調節,進而改變所述流場檢測空間的結構尺寸。該結構可用于進行刻蝕、等離子體增強/化學氣相沉積(PE/CVD)、物理氣相沉積(PVD)以及氧化擴散工藝等具有腔室類共同特點的低壓氣相加工工藝試驗??梢詸z測不同結構腔室內部空間及各氣路上的壓力參數,研究低壓氣相加工工藝中各項參數的影響規律,并可顯著提高IC裝備腔室部件優化設計的可信度。
聲明:
“用于內部稀薄氣流模擬驗證及壓力檢測的變結構真空腔室” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)