本發明涉及光電材料技術領域,尤其涉及一種用于爆炸物檢測的十字型半導體材料及其制備方法和應用,所述的十字型半導體材料的化學結構式為式Ⅰ~式Ⅴ的任一結構,式中,R、R`分別為H或者烷基,碳原子數為6~14。該系列十字型半導體材料合成方法簡單易操作,具有高特異選擇性和高靈敏度,為化學爆炸物檢測技術提供了有利幫助。
聲明:
“用于爆炸物檢測的十字型半導體材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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