本發明涉及屬于硅片清洗技術領域,具體涉及一種太陽能硅片清洗后表面殘留物的檢測方法。所述檢測方法包括以下步驟:將水溶性熒光粉添加至硅片清洗液中,硅片經超聲波清洗和漂洗后,對待檢硅片或水樣濾紙進行紫外光譜分析,比對判斷后記錄分析結果。本發明在硅片浸泡式濕式化學清洗法中,創造性地引入熒光檢測,能夠以肉眼簡便快捷而又直觀的看到硅片清洗殘留情況,來檢測硅片的清洗效果,避免因硅片表面潔凈度不良而影響后續制絨效果及影響光電轉換效率等問題。該方法對硅片沒有二次污染,而且又能夠快速準確檢測他物殘留。
聲明:
“太陽能硅片清洗后表面殘留物的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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