本發明公開了一種用于大規模集成芯片內單個器件的抗輻照能力的分析方法,將完整的大規模集成電路芯片,開蓋去封裝,通過機械研磨和化學刻蝕,逐層剝離鈍化層、金屬互連線,獲得器件外露的裸芯片;將所述器件外露的裸芯片置于Co60γ射線源電離輻射環境中,測試其電學特性;采用聚焦離子束,將器件外露的裸芯片進行切割,分離出芯片內部典型器件,并生長引線,獲得隔離的單個器件測試系統;將所隔離的單個器件測試系統置于Co60γ射線源電離輻射環境中,測試其隔離狀態下單個器件的電學特性。本發明直接測量裸芯片整體的輻照損傷,能夠直接測量芯片內部單個器件輻照損傷電學性能,能夠直接測試目標器件的輻照損傷特性。
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