本發明公開了一種基于化學氣相沉積二硫化鎢的光電探測器及其制備方法,屬于二維半導體材料的生長及其光電探測器的制備技術領域,解決了現有技術制備二硫化鎢實驗條件可重復性不好,薄膜質量欠佳等技術問題。所述的二硫化鎢由化學氣相沉積法制備得到,利用熔融鹽輔助的方法可以有效降低前驅體三氧化鎢的熔點,從而提高材料制備的可控性。該實驗方法工藝簡單,環境友好,適合大規模生產。所述光電探測器由干法轉移技術制備得到,利用干法轉移技術將金電極直接轉移到生長有二硫化鎢的襯底上,保護了二硫化鎢的晶體結構。此外,生長的二硫化鎢晶體結晶質量高,利用其制備的光電探測器具有高響應度、高外量子效率、高探測度的特點,表現出優異的光電探測性能。
聲明:
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