本發明公開一種測量二氧化硅層厚度的方法,應用于化學機械研磨過程中。此方法先化學機械研磨一測試芯片上,在測試芯片研磨過程中,利用傅立葉轉換紅外線光譜儀與橢圓儀測量測試芯片數次,以獲得一校正曲線。然后,再用化學機械研磨一測量芯片上的二氧化硅層,二氧化硅層形成于氮化硅層上方,在此測量芯片的研磨過程中的一時間點利用傅立葉轉換紅外線光譜儀測量此測量芯片,并通過內插校正曲線,以獲得二氧化硅層在此時間點的厚度。
聲明:
“化學機械研磨過程中測量非金屬層厚度的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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