本發明公開了一種新型光電化學光探測器的制備方法,其特征在于,所述方法包括:根據所述光探測器的待探測光波長選擇氮化鎵基化合物半導體材料組分;根據所述組分在襯底表面上形成氮化鎵基納米線;所述氮化鎵基納米線上均勻修飾助催化劑納米顆粒;對已修飾助催化劑納米顆粒的氮化鎵基納米線進行封裝得到光電極;以及利用所述光電極制備所述光電化學光探測器。僅在納米線生長過程中調整納米線中組分含量即可生產出應用于不同光探測場景的光探測器。最后采取相同工藝流程制備高響應度、快速反應、經濟環保、自供能的新型全波段光電化學光探測器。本發明開創性的將氮化鎵基納米線應用于光電化學光探測器的研究中,具有十分重要的意義。
聲明:
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