一種光電化學光探測器,所述光電化學光探測器包括光電極,所述光電極包括導電襯底,還包括生長在所述襯底表面的氮化鎵(GaN)基納米線,所述GaN基納米線表面修飾有一層均勻的納米顆粒。本發明還公開了一種光電化學光探測器的制備方法。本發明的GaN基光電化學光探測器將具有表面等離子體增強效應的金屬Rh(或Ag,Au,Al等金屬)納米顆粒修飾于AlxGa1?xN,InxGa1?xN,InyAlxGa1?x?yN,BxAlyGa1?x?yN,BxInyGa1?x?yN納米線表面,提高半導體納米線自身光生載流子產生量的同時向半導體注入熱電子,最終實現光電化學光探測器光電流響應的提升。
聲明:
“基于等離子體激元增強的光電化學光探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)