一種用于多晶硅化學機械研磨制程中缺陷檢測晶圓(控片)的制作方法,在硅襯底上沉積一薄層氧化硅薄膜后,再在氧化硅層上沉積一層氮化硅阻擋層,然后再在氮化硅阻擋層上沉積一層多晶硅薄膜,并在循環使用中保留該氮化硅層。本發明增加了氮化硅阻擋層,可以有效解決在控片的循環使用過程中對硅襯底造成損傷產生COP缺陷而影響測機結果的問題,從而減少檢測過程的誤差,獲得能夠真實表征機器性能的檢測數據。
聲明:
“用于多晶硅化學機械研磨制程中缺陷檢測晶圓的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)