本發明公開一種直立石墨烯電化學電極檢測芯片及其制作方法,該直立石墨烯檢測芯片包括:基材和生長于所述基材上的直立石墨烯層,所述基材上預制有一套或多套凹槽,所述直立石墨烯層生長填充于所述凹槽內,形成有一個或多個電化學電極集成化檢測芯片結構;所述直立石墨烯層的高度小于或等于所述凹槽的深度。所述制作方法包括以下步驟:提供一基材,并在所述基材上預制一套或多套凹槽;在所述凹槽內生長直立石墨烯層;對生長完成的直立石墨烯層進行處理,使所述直立石墨烯層的上表面與所述基材的上表面相平齊。本發明基材上的凹槽對納米級脆弱的直立石墨烯層具有保護效果,且一定程度上降低了檢測芯片的厚度,提高了后續應用的穩定性和可靠性。
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