本發明涉及光電化學傳感技術領域,特別涉及一種光電化學傳感器及其制備方法和在檢測四環素中的應用。本發明提供了一種光電化學傳感器,包括FTO電極和修飾在FTO電極導電面的ZnInS@ZIF?8復合修飾層;ZnInS@ZIF?8復合修飾層包括ZnInS納米片陣列和生長在ZnInS納米片陣列表面的ZIF?8納米膜。ZIF?8膜可吸附TC,使其在膜表面富集,ZnInS納米片陣列的二維結構能夠改善光電子的傳導路徑,使ZnInS@ZIF?8結構捕獲痕量TC時產生的微弱光能信號變化可以快速穩定地轉變為能被檢測到的電能信號,降低了TC的檢出限和響應時間,提高了光電化學傳感器的靈敏度。
聲明:
“光電化學傳感器及其制備方法和在檢測四環素中的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)