一種利用X射線光電子能譜儀快速刻蝕分析材料界面元素化學狀態的方法,它涉及一種分析材料界面元素化學狀態的方法。本發明目的是要解決采用半導體材料化合物或過渡族金屬元素化合物時,在僅采用單粒子模式刻蝕膜層分析過程中,不能真實反映實際膜層化學元素化學狀態,而采用團簇模式刻蝕膜層,無法實現快速分析的問題。方法:一、采用單粒子模式下去除表面層;二、采用團簇模式下進行界面層分析。本發明主要用于分析材料界面元素化學狀態。
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